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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
43
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
43
读取速度,GB/s
15.0
14.0
写入速度,GB/s
10.3
12.3
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2867
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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