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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
比较
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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更快的读取速度,GB/s
16.6
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
32
读取速度,GB/s
15.9
16.6
写入速度,GB/s
12.0
13.8
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2952
3277
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
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