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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.6
17.4
写入速度,GB/s
12.0
14.5
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3393
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB RAM的比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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