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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
40
读取速度,GB/s
17.6
16.8
写入速度,GB/s
12.0
14.0
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3015
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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