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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
17.6
16.9
写入速度,GB/s
12.0
14.9
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3571
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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