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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
17.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
59
读取速度,GB/s
17.6
17.9
写入速度,GB/s
12.0
9.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
1968
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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