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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.6
19.7
写入速度,GB/s
12.0
15.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3832
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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