RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3832
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link