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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
25
读取速度,GB/s
17.6
20.0
写入速度,GB/s
12.0
16.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3771
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
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