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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
比较
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
总分
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
12.1
17.6
写入速度,GB/s
7.6
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2034
3635
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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