RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3771
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link