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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
17.6
15.6
写入速度,GB/s
12.0
10.6
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2900
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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