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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
比较
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
总分
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
10.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
17.9
16.3
写入速度,GB/s
10.4
10.7
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3030
2937
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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