RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
15.8
18.3
写入速度,GB/s
11.8
15.9
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
3574
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link