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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
42
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
19
读取速度,GB/s
13.6
18.4
写入速度,GB/s
8.4
12.3
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3189
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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