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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
13.6
15.0
写入速度,GB/s
8.4
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2875
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB RAM的比较
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
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