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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
64
左右 -49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
1,869.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
64
43
读取速度,GB/s
4,477.7
5,987.5
写入速度,GB/s
1,869.1
2,160.7
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
957
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
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