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Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB vs AMD R948G2806U2S 8GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
总分
AMD R948G2806U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
AMD R948G2806U2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
13.0
14.7
写入速度,GB/s
7.7
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2422
2802
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
AMD R538G1601U2S 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
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