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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
34
读取速度,GB/s
13.4
15.3
写入速度,GB/s
8.0
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2960
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
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