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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
16.1
写入速度,GB/s
8.4
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2591
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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