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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
15.0
写入速度,GB/s
8.0
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2875
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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