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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
20.1
写入速度,GB/s
8.0
14.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3443
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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