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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
23
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
22
读取速度,GB/s
13.4
17.5
写入速度,GB/s
8.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3169
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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