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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston 9965600-033.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
8.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
40
读取速度,GB/s
13.4
8.8
写入速度,GB/s
8.0
6.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1777
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
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