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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
35
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
35
读取速度,GB/s
13.4
14.6
写入速度,GB/s
8.0
10.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2560
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.M16FC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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