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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
24
读取速度,GB/s
13.4
20.1
写入速度,GB/s
8.0
16.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3778
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
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