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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
23
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
22
读取速度,GB/s
13.4
17.2
写入速度,GB/s
8.0
13.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2989
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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