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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,769.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
4,482.7
18.2
写入速度,GB/s
1,769.9
14.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3510
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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