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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
54
左右 57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
54
读取速度,GB/s
13.4
10.9
写入速度,GB/s
8.0
9.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2176
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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