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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
27
读取速度,GB/s
13.4
16.4
写入速度,GB/s
8.0
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2632
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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