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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
36
读取速度,GB/s
13.4
15.0
写入速度,GB/s
8.0
10.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2657
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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