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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
35
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
35
读取速度,GB/s
13.4
10.3
写入速度,GB/s
8.0
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2311
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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