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Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
比较
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
13.6
13.2
写入速度,GB/s
8.1
8.4
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2229
2143
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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