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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
13.9
17.8
写入速度,GB/s
8.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3462
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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