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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
8.1
16.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3908
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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