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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905599-025.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
13.9
14.5
写入速度,GB/s
8.1
9.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2472
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7MFR4C-PB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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