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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
85
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
5.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
85
读取速度,GB/s
13.2
12.0
写入速度,GB/s
8.4
5.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1277
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
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