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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
13.2
18.0
写入速度,GB/s
8.4
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2978
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
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