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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
13.2
15.7
写入速度,GB/s
8.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3011
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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