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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
40
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
40
读取速度,GB/s
13.2
13.4
写入速度,GB/s
8.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3014
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
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Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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