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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.2
16.6
写入速度,GB/s
8.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3169
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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