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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965669-018.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
13.2
12.1
写入速度,GB/s
8.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2460
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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