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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston HX424C15FB/16 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston HX424C15FB/16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HX424C15FB/16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
13.2
15.5
写入速度,GB/s
8.4
8.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2550
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
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