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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.2
17.3
写入速度,GB/s
8.4
16.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3637
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
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