Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

总分
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

总分
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    31 left arrow 37
    左右 -19% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    14.1 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    37 left arrow 31
  • 读取速度,GB/s
    13.2 left arrow 14.1
  • 写入速度,GB/s
    8.4 left arrow 9.0
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 2640
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较