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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
13.2
9.6
写入速度,GB/s
8.4
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2286
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
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Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
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