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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
63
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
63
读取速度,GB/s
13.2
14.7
写入速度,GB/s
8.4
12.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2543
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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