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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
13.2
13.5
写入速度,GB/s
8.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2157
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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