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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
68
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
23
读取速度,GB/s
4,402.8
18.0
写入速度,GB/s
2,013.5
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3211
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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