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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.2
14.3
写入速度,GB/s
8.4
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2103
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
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